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纳米线技术将催生速率更快、性能更强劲的电子设备

来源:元器件交易网发布时间:2014-06-16分类:[MRO企业动态]
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[导读] 近期,加州大学戴维斯分校的研究人员称他们已经研究出一种新的集成电路芯片制造方法。该种方法将半导体材料

近期,加州大学戴维斯分校的研究人员称他们已经研究出一种新的集成电路芯片制造方法。该种方法将半导体材料

  和纳米线组合起来,并将其放置在硅材料表层。据研究人员介绍,该方法将催生新一代的速率更快、性能更加强劲的电子设备和光电器件。

最近,该团队运用该技术方法,成功制成3D纳米线晶体管,并相信这将为诸如硅基板上氮化镓等原材料的集成创造巨大的机会。研究人员还能够使这些纳米线起到晶体管的运作效应,并把他们组合成更加复杂的电路,以及制成光反应设备。

  “传统的硅材料器件已经达到了它们的尺寸下线,这严重限制了电子设备的运转速度和集成密度”Saif Ismal教授说。此外,传统的硅电路不能再超过250°的环境中运转,也不能处理高功率、高电压和光学问题。“硅发挥不了什么作用”Saif Ismal教授表示说。

  他预计纳米线技术将用于能适应高温工作的,例如飞机发动机

  传感器的制造。他还表示“在可预见的未来,社会将依赖于各种工作在极端环境中的传感器和控制系统 ”

  他认为,包含硅和非硅材料设备可以达到更高的速度和更强大的性能。为达到这一目标,Saif Ismal教授的实验室已经研制了含有“纳米柱”的硅晶片材料,例如砷化镓、氮化镓、磷化铟。“硅材料已遇技术瓶颈,但是我们可以在纳米线技术上寻求突破”他强调说。

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